如今中國方面在芯片制造領域，已然是“多點開花”。

中國電科近日放出消息，他們成功讓離子注入機全譜系產(chǎn)品實現(xiàn)了國產(chǎn)化,相關核心發(fā)明專利已經(jīng)達到了413項。

中國電科近日放出消息，他們成功讓離子注入機全譜系產(chǎn)品實現(xiàn)了國產(chǎn)化,相關核心發(fā)明專利已經(jīng)達到了413項。

最近中國方面清華大學聯(lián)合國外科研人員，發(fā)布了項重大科技成果，獲得一種相干輻射，波長覆蓋了EUV波段，光子科學領域可謂取得了新突破。這有望助力大功率EUV光源技術發(fā)展，從而實現(xiàn)對EUV光刻機核心技術的突破。

新年伊始，中芯國際也連傳喜訊，F(xiàn)inFET技術已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，第二代技術也亟待成形。

FinFET技術是一種基于14納米工藝改變的12納米工藝，而它的第二代技術則是對應的是臺積電的7納米技術。如今第二代技術正在進行風險試產(chǎn)。這種技術將可以擺脫EUV光刻機的束縛，進行多次曝光就能制造出7納米芯片。

此前中芯國際和荷蘭方面還簽訂了價值77億的訂單，訂單中包括了DUV光刻機，這也能助力7納米芯片的制造。未來中芯國際將對7納米工藝技術展開沖擊。

中科院入局立見成效

目前全球首個利用FinFET N+1工藝，基于中芯國際的先進工藝芯片流片和測試已經(jīng)成功，同時也說明國產(chǎn)7納米芯片技術取得了突破，意味著國產(chǎn)芯片打破了西方壟斷。

國產(chǎn)FinFET N+1工藝下制造的芯片，將直接堪比臺積電14納米芯片的水準。芯片性能增強了2成，功耗減少了一大半，功率和穩(wěn)定性上，也堪比臺積電7納米芯片。

未來這種工藝更是用于普通光刻機上，從而不受到EVU光刻機的掣肘，以此能打造與臺積電7納米芯片等效的芯片。

近期，中國的一款紫光芯片還獲得了國際相關安全認證，成為了全球安全等級最高的一款安全芯片。

另外，中國的一款CMOS毫米波全集成通道相控芯片，相比美國同類型的芯片，成本還要低了一大截。這再一次打破了西方壟斷，對行業(yè)發(fā)展也是重大促進。

2020年9月，中科院方面宣布，將會全力攻克光刻機等技術。這個重大利好消息，在近段時間對行業(yè)發(fā)展的促進也是顯而易見。

作為全球規(guī)模最大智能手機市場的中國，在2020年，中國購買了全球8成的芯片，進口的芯片則達到了3800億美元，顯示出國內(nèi)對芯片的需求十分強勁。

但是相關芯片技術卻是許久未能突破，更是遭到了西方在技術上的圍堵封鎖。這種情況下，中國只能是在該技術領域自立自強。

?國產(chǎn)芯片發(fā)展未來可期

目前中國已經(jīng)能夠制造14納米制程的芯片設備，這意味著覆蓋了市場上9成的產(chǎn)品。不過我們依然不能就此止步。

光刻機領域上，未來將有一臺28納米國產(chǎn)沉浸式光刻機誕生。芯片設計上，國產(chǎn)5納米處理器的芯片已經(jīng)出現(xiàn)，6納米工藝打造的芯片也完成了設計并流片，這彰顯了國產(chǎn)芯片行業(yè)的巨大潛力。未來國產(chǎn)芯片領域，還將突破5納米以及光刻機等高端設備，從而進一步打破西方壟斷，國產(chǎn)芯片已經(jīng)進入突圍倒計時。

轉(zhuǎn)載自：北方國際視野

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