香港萬得通訊社報(bào)道，有數(shù)據(jù)顯示，去年我們買了全球80%的芯片，國內(nèi)依然是芯片最大的市場。中國芯片制造業(yè)要想實(shí)現(xiàn)突圍，攻克“卡脖子”技術(shù)勢在必行。近兩年以來，除核心中企加大攻關(guān)、研發(fā)力度以外，中科院等頂尖科研機(jī)構(gòu)也已“跑步”進(jìn)場，宣布將把光刻機(jī)等列入其科研清單中。在中企和“國家隊(duì)”共同發(fā)力的情況下，國產(chǎn)芯片多個(gè)環(huán)節(jié)驚人突破！實(shí)現(xiàn)芯片國產(chǎn)化的距離越來越近。

離子注入機(jī)

3月22日，中國電子科技集團(tuán)有限公司官發(fā)方消息，中國電科旗下裝備子集團(tuán)日前已成功實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化，可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)一站式解決方案。

據(jù)悉，中國電科旗下裝備子集團(tuán)突破的產(chǎn)品包括：中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)，工藝段覆蓋至28nm，累計(jì)形成了413項(xiàng)核心發(fā)明專利。

中芯國際：沖擊7納米

2021年開始之后，中芯國際接連迎來了幾個(gè)好消息。3月17日，中心擴(kuò)建finfet該技術(shù)已經(jīng)成功量產(chǎn)，第二代技術(shù)也正在風(fēng)險(xiǎn)是量產(chǎn)之中。所謂的fin fet機(jī)其實(shí)就是14納米工藝改變的12納米工藝，finfet第二代技術(shù)都是指n+1以及n+2制成工藝對(duì)標(biāo)的是臺(tái)積電的7納米技術(shù)。行業(yè)人士猜測，如今正在進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的應(yīng)該就是七納米。畢竟七納米是可以脫離EUV光刻機(jī)，進(jìn)行多次曝光就可以生產(chǎn)制造出來的，而這一點(diǎn)臺(tái)積電早就已經(jīng)做了先例。前段時(shí)間，中芯國際與荷蘭阿斯麥公司簽訂了一筆價(jià)值77億的訂單，其中就包括DUV光刻機(jī)，能夠經(jīng)過多次曝光，制造出7納米芯片。

一旦中芯國際突破了七納米工藝，就意味著中芯國際實(shí)際臺(tái)積電以及三星之后第三家掌握這項(xiàng)技術(shù)的芯片代工企業(yè)。

此外，中芯國際擬于深圳擴(kuò)建產(chǎn)能，生產(chǎn)28納米及以上集成電路。3月17日，中芯國際公告，公司和深圳政府（透過深圳重投集團(tuán)）擬以建議出資的方式經(jīng)由中芯深圳進(jìn)行項(xiàng)目發(fā)展和營運(yùn)。依照計(jì)劃，中芯深圳將開展項(xiàng)目的發(fā)展和營運(yùn)，重點(diǎn)生產(chǎn)28納米及以上的集成電路和提供技術(shù)服務(wù)，旨在實(shí)現(xiàn)最終每月約40000片12吋晶圓的產(chǎn)能，預(yù)期將于2022年開始生產(chǎn)。

EUV光源

據(jù)清華大學(xué)官網(wǎng)消息，2 月 25 日，清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥研究組聯(lián)合國外科研人員發(fā)布了一項(xiàng)重大科研成果。該成果基于SSMB（Steady-state microbunching，一種新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束”）原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，有望為光子科學(xué)研究提供廣闊的新機(jī)遇。

大功率的EUV光源是EUV光刻機(jī)的核心基礎(chǔ)。隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，預(yù)計(jì)對(duì)EUV光源功率的要求將不斷提升，達(dá)到千瓦量級(jí)?；赟SMB的EUV光源有望實(shí)現(xiàn)大的平均功率，并具備向更短波長擴(kuò)展的潛力，為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。

?轉(zhuǎn)載自：Wind資訊

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