崗位職責：
1.根據公司的新產品開發計劃，協助器件設計師負責TrenchMOSFET、超結MOSFET、SGT、IGBT等功率器件的一種或者幾種器件的設計開發、工藝仿真和工藝流程制定。
2.負責相關產品的設計文件、工藝文件和封裝測試文件的擬制。
3.負責與技術、市場、運營、質量等相關部門人員進行溝通和協調，協助完成相關文件的制定和流程跟蹤。
4.根據終端客戶需求，協助技術工程師解決客戶反饋的技術問題。

任職要求：
1.微電子、集成電路、器件物理等相關專業碩士及以上學歷，半導體物理及器件物理科目成績優良。
2.從事過器件物理相關項目者優先。
3.熟悉版圖設計（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）者優先。