據(jù)日經(jīng)報(bào)道,一項(xiàng)新的估計(jì)顯示,今年中國(guó)臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)四分之一以上,創(chuàng)下歷史新高,這是過去十年中的最大增幅,因?yàn)楣?yīng)商急于緩解全球芯片短缺。
根據(jù)政府智庫(kù)產(chǎn)業(yè)科技國(guó)際戰(zhàn)略中心(Industry, Science and Technology International Strategy Center)本月發(fā)布的一份新報(bào)告,到 2021 年,產(chǎn)出將增長(zhǎng) 25.9%,達(dá)到 4.1 萬(wàn)億新臺(tái)幣(1470 億美元)。
ISTI 表示,預(yù)計(jì)明年產(chǎn)量將繼續(xù)擴(kuò)大至 4.5 萬(wàn)億新臺(tái)幣,主要受先進(jìn)芯片的推動(dòng)。全球最大的代工芯片制造商臺(tái)積電于 11 月 9 日表示,將在南部城市高雄建設(shè)一座價(jià)值約 90 億美元的新工廠。
但生產(chǎn)商即使在投資新產(chǎn)能的同時(shí)也難以跟上激增的需求,預(yù)計(jì)芯片短缺將持續(xù)到 2022 年。
部分問題在于上游材料的供應(yīng),例如用于尖端芯片的 300 毫米硅片,增長(zhǎng)速度不夠快。“半導(dǎo)體生產(chǎn)可能在 2022 年面臨瓶頸,”總部位于東京的瑞穗銀行的行業(yè)研究部警告說(shuō)。
出于對(duì)這種可能性的擔(dān)憂,中國(guó)臺(tái)灣周四與瑞穗銀行在臺(tái)北舉行了聯(lián)合研討會(huì),以鼓勵(lì)日本在該島的投資。中國(guó)臺(tái)灣使用的大部分芯片制造設(shè)備和材料來(lái)自日本。
“我們特別重視與日本的關(guān)系,”中國(guó)臺(tái)灣方面表示。
臺(tái)積電歐洲和亞洲銷售高級(jí)副總裁 Lora Ho 呼吁日本供應(yīng)商投資中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體行業(yè)的氣體和液體材料的生產(chǎn)。
中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的隱憂
全球芯片荒進(jìn)入第二年,不僅波及汽車、家電等產(chǎn)品制造商,也延緩全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇腳步,并加劇全球供應(yīng)鏈危機(jī);今年9月23日美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多要求國(guó)際間半導(dǎo)體業(yè)者“自愿性”在45天內(nèi),回復(fù)26項(xiàng)問卷,分為二大部分各13題,一是IC設(shè)計(jì)、前后端芯片制造、封測(cè)業(yè)者、半導(dǎo)體通路商,另一是半導(dǎo)體產(chǎn)品或芯片的中間及終端用戶,涉及企業(yè)營(yíng)運(yùn)與客戶隱私的商業(yè)機(jī)密,想要綜攬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一切:預(yù)測(cè)、庫(kù)存、產(chǎn)能和利用率,找出供應(yīng)鏈危機(jī)的癥結(jié)所在。
美國(guó)商務(wù)部11月8日指出,英特爾、英飛凌、通用汽車、SK海力士、臺(tái)積電等公司都已在期限內(nèi)提交資料;10月9日韓國(guó)政府與韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(KSIA)成立“半導(dǎo)體團(tuán)結(jié)合作委員會(huì)”,將由政府整合意見并出面與美國(guó)政府溝通;反觀我政府:這是“自愿性”的、企業(yè)自己會(huì)考量,政府似乎未積極作企業(yè)后盾。半導(dǎo)體業(yè)者如臺(tái)積電是商業(yè)公司,最重要就是信譽(yù),如果臺(tái)積電輕易將客戶資訊公開披露給美國(guó)政府,那以后還有誰(shuí)敢找臺(tái)積電合作,目前客戶或許沒得選擇,但這將影響臺(tái)積電在行業(yè)內(nèi)的信譽(yù)。
全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈危機(jī),根本問題在于其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)過度集中,且進(jìn)入障礙很大,需多年千億級(jí)別的投資才能量產(chǎn),更需要有刻苦耐勞的高科技人才。近二年,半導(dǎo)體已是中國(guó)大陸、美國(guó)、日本、歐盟、韓國(guó)等先進(jìn)國(guó)家和地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn):美國(guó)今年6月通過“2021創(chuàng)新暨競(jìng)爭(zhēng)法案”預(yù)計(jì)五年內(nèi)投資520億美元支援半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè);日本今年6月公布“半導(dǎo)體/數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”邀海外晶圓廠在日本設(shè)立合資工廠,計(jì)劃投資約18.4億美元;韓國(guó)今年5月規(guī)劃“K半導(dǎo)體策略”,政府十年內(nèi)提供投資資金、政策,支援三星電子等153家企業(yè),建立半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、原材料、零組件、設(shè)備和生產(chǎn)等高效產(chǎn)業(yè)聚落;歐盟今年2月投資1,450億歐元研究半導(dǎo)體技術(shù),建2納米晶圓廠,提高歐洲在芯片設(shè)計(jì)與制程的地位;大陸2020年12月公告“促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高品質(zhì)發(fā)展企業(yè)所得稅政策”,免征半導(dǎo)體企業(yè)十年所得稅及相關(guān)設(shè)備進(jìn)口稅,今年10月提出“十四五規(guī)劃”,預(yù)計(jì)投注10兆人民幣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020年全球半導(dǎo)體業(yè)共有410座晶圓廠,以晶圓廠“所在地”計(jì)算,日本有92座、中國(guó)臺(tái)灣有70座、美洲(美國(guó)和加拿大)有67座、中國(guó)大陸有64座、歐洲有44座、韓國(guó)有38座、其他國(guó)家有35座。以廠商“掌控力”計(jì)算,美國(guó)掌控92座(美國(guó)境內(nèi)產(chǎn)能占43.2%,約有42.3%設(shè)于亞洲〔臺(tái)+新+日+中〕),中國(guó)臺(tái)灣掌控85座,日本掌控73座,中國(guó)大陸掌控50座,歐洲掌控46座,韓國(guó)掌控43座,其他地區(qū)掌控21座。2021/2022各個(gè)地區(qū)將增建晶圓廠約29座(12寸廠為主):美國(guó)6座、歐洲3座、中國(guó)大陸8座、韓國(guó)2座、日本2座、中國(guó)臺(tái)灣8座,這29座至少要到2024年后才可能量產(chǎn)。
幾乎所有制造商為分散風(fēng)險(xiǎn),都投入資金使半導(dǎo)體生產(chǎn)足跡多元化,但這至少需要兩年時(shí)間,無(wú)法一夕間達(dá)成。
但如果美國(guó)的半導(dǎo)體管制政策陷入失序,以長(zhǎng)臂管轄限制全球半導(dǎo)體工廠皆不能為中國(guó)生產(chǎn)芯片,則大陸可掌控的晶圓廠將降至50座以下(14座為非中國(guó)投資工廠將可能停工)。中國(guó)也無(wú)法再使用中國(guó)臺(tái)灣晶圓廠(含占全球92%在臺(tái)10nm以下先進(jìn)制程廠)及韓國(guó)的先進(jìn)制程,則中美之間的爭(zhēng)議將愈趨嚴(yán)重,而其中中國(guó)臺(tái)灣70座晶圓廠更將成為眾所矚目的爭(zhēng)議焦點(diǎn)。
綜上所述,21世紀(jì)第二個(gè)十年,經(jīng)歷中美爭(zhēng)霸、疫情之亂、芯片荒的影響,導(dǎo)致全球供應(yīng)鏈危機(jī)、經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇減緩及各地半導(dǎo)體自主化趨勢(shì)。如今發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已是各國(guó)政策的重中之重,要加強(qiáng)研發(fā)、設(shè)廠,建立設(shè)計(jì)、原材料、零組件、設(shè)備和生產(chǎn)等自主能力;任何影響半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的問題,各國(guó)都會(huì)優(yōu)先及時(shí)克服解決。中國(guó)臺(tái)灣40多年來(lái)因?yàn)殚L(zhǎng)期耕耘半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),反而在供應(yīng)鏈危機(jī)中異軍突起,成為臺(tái)灣這兩年出口和經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)的主力。不過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完善基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境已成過去,未來(lái)中國(guó)臺(tái)灣可能長(zhǎng)期陷入缺電、缺水、缺用地、缺人才、缺政策的窘境;尤其兩三年過去,先進(jìn)國(guó)家可能超車中國(guó)臺(tái)灣,則中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體居全球供應(yīng)鏈的關(guān)鍵地位,能否還能維持下去,不禁令人憂心。這兩年正處于重要時(shí)刻,更需要政府執(zhí)行正確的產(chǎn)業(yè)政策,以支持中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)的永續(xù)成長(zhǎng)。