作為全球半導體行業巨頭，三星和臺積電一同掌握了目前全世界最先進的芯片制程工藝。眾所周知，今年高通最新的移動端旗艦級處理器驍龍888正是采用了三星7nm工藝生產，被廣泛應用于各大廠商高端機型當中。

而在近日，三星正式宣布自家3nm工藝芯片成功流片，距離量產更近一步。就目前來看，全球量產最先進工藝仍是5nm，而臺積電也將在明年量產3nm工藝，與三星在時間節點上實際差不了多少。

但是，從3nm工藝性能差距上看，三星首次超過了臺積電。在3nm工藝研究上，三星直接選擇了更為激進的下一代工藝技術——GAAFET環繞柵極場效應晶體管，能夠顯著增強晶體管性能，用以取代過去成熟的FinFET晶體管技術，而臺積電的3nm工藝仍是基于后者。

具體來看，三星的第一顆3nm SRAM芯片采用的是MBCFET技術，容量256MB，擁有超低功耗特性。按照三星官方說法，自家的3GAAFET工藝相比于5nm工藝，性能提升最多30%，功耗降低最多50%。

作為對比，臺積電所公布的3nm工藝相比于5nm工藝，性能提升可達到1%，功耗降低最多27%，由此可見其表現完全不如三星。不得不說，在過去的7nm和5nm時代，臺積電一直穩壓三星，而在即將來臨的3nm工藝，三星終于實現了反超。

不過，雖然從理論性能上看三星比臺積電更強，但是根據以往的表現，臺積電3nm工藝所擁有的客戶數量更多，包括蘋果、AMD、NVIDAI、聯發科、賽靈思、博通、高通等主要客戶都會在明年采用，而三星想要從臺積電手中搶走這些客戶，除了量產時間要早以外，還要從芯片性能和代工價格上狠下功夫。

來源：Tech情報局?

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