南韓三星電子持續(xù)稱霸DRAM市場，4-6月期間橫掃逾4成市占、市占率連3季擴大，美國美光(Micron)市占則陷入萎縮。

韓媒中央日報日文版17日報導(dǎo)，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Omdia 16日公布的資料顯示，2022年4-6月期間三星電子于DRAM市場拿下高達(dá)43.4%的市占率、持續(xù)穩(wěn)居龍頭位置，且市占率連續(xù)第3季呈現(xiàn)擴大。（芯片招聘求職網(wǎng)站）

2021年10-12月時三星市占率擴大至41.9%、2022年1-3月擴大至42.7%、2022年4-6月進一步擴大至43.4%。

4-6月期間SK海力士(SK Hynix)以28.1%的市占率位居第2，市占率較前一季(1-3月)的27.1%揚升1個百分點；美光市占率23.6%、位居第3，市占率較前一季的24.8%下滑1.2個百分點。

另外，在NAND型快閃記憶體(Flash Memory)部分，4-6月期間三星以33.3%的市占率穩(wěn)居首位，不過市占率較前一季的35.5%萎縮2.2個百分點；SK Hynix(包含子公司Solidigm)市占率20.4%位居第2，其次為日本鎧俠(Kioxia)的16.0%，美國威騰電子(Western Digital)、美光市占率各為13.0%。

報導(dǎo)指出，DRAM、NAND Flash等記憶體市場受全球景氣低迷影響，導(dǎo)致需求萎縮、價格下滑，不過三星基于「積極投資、克服危機」的想法、將進一步積極對記憶體領(lǐng)域進行投資，于10月5日宣布，計劃在2023年量產(chǎn)第5代10nm等級DRAM、2024年量產(chǎn)第9代V-NAND。

10年來最大規(guī)模鎧俠NAND Flash減產(chǎn)3成

鎧俠9月30日宣布，旗下生產(chǎn)NAND Flash的四日市工廠(三重縣四日市市)和北上工廠(巖手縣北上市)將進行生產(chǎn)調(diào)整、自10月起將減產(chǎn)3成(晶圓投入量縮減約3成)。

鎧俠重申，中長期來看、NAND Flash市場成長可期，因此今后仍將積極從事研發(fā)投資、進行新產(chǎn)品研發(fā)，實現(xiàn)穩(wěn)健且持續(xù)的成長。（芯片招聘網(wǎng)）

日媒報導(dǎo)，因市況惡化、迫使鎧俠大規(guī)模減產(chǎn)NAND Flash，鎧俠此次的減產(chǎn)規(guī)模將是10年來(東芝時代于2012年實施的減產(chǎn)以來)最大。因智慧手機、PC出貨急減，也讓市場、客戶端擁有的NAND Flash、DRAM等記憶體庫存膨脹，市況急速惡化。據(jù)市場關(guān)系人士指出，在最近3個月、還出現(xiàn)向客戶提供的報價大砍3成以上的案例。據(jù)臺灣調(diào)查公司TrendForce指出，Q4(10-12月)DRAM價格預(yù)估將季減13-18%、NAND Flash價格也預(yù)估將季減15-20%。