崗位職責：

1. 參與MOSFET功率器件新工藝，新項目開發，進行新工藝流程建立、更改 ；

2. 參與MOSFET項目計劃制定，完成實驗計劃；

3. 線上流片監控，線上線下數據收集，整理；

4. 部門協作及客戶支持；

5. 完成部門經理(上級主管)交辦的其他任務。



崗位要求：

1. 半導體物理，微電子，物理等專業本科以上學歷；

2. 具備扎實的半導體物理，器件理論和工藝原理知識；

3. MOSFET功率器件設計或工藝開發(TD/PIE)2年以上經驗,有平面/TRENCH MOSFET, SGT, Super-Junciton開發經驗優先；

4. 良好的溝通和團隊協作能力。